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深圳市汉威信息技术有限公司
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产品信息
AO4294 场效应管MOS
FET类型：N通道
技术：MOSFET
漏源电压（Vdss）：100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.5A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V
漏源导通电阻：12 毫欧 @ 11.5A，10V
栅源极阈值电压：2.4V @ 250µA
栅源极阈值电压的栅极电荷 （Qg）（值）：50nC @ 10V
Vgs（值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：2420pF @ 50V
功率耗散（Ta）：3.1W（Ta）
工作温度：-55°C～150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：SOIC-8
包装：3000PCS
厂商：AOS
沟槽电源MV MOSFET技术100V
•低RDS(上)
•低门电路费
•针对快速切换应用程序进行优化
DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
•工业和电机驱动应用