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深圳市汉威信息技术有限公司
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产品信息
AO3402 MOS场效应管 AOS
FET类型：N通道
技术：MOSFET
漏源电压（Vdss）：30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A
驱动电压（ Rds On， Rds On）：2.5V，10V
漏源导通电阻：55 毫欧 @ 4A，10V
栅源极阈值电压：1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：4.34nC @ 4.5V
Vgs（值）：±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：390pF @ 15V
功率耗散：1.4W
工作温度：-55°C～150°C
安装类型：表面贴装型
封装：SOT-23-3L
包装：3000PCS
厂商：AOS
AO3402使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和带栅极工作
电压低至2.5V。 该设备适合用作负载开关或PWM应用中。