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深圳市汉威信息技术有限公司
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产品信息
MCH3383-TL-H 晶体管MOSFET ON
类型：P 功率MOSFET
连续漏极电流：3.5A
漏源电压：12V
漏源电阻值：500 mΩ
栅阈值电压：0.8V
栅源电压：±5 V
封装：SC-70LF MCPH3
晶体管极性: P-Channel
晶体管配置：单
通道模式：增强
功率耗散：1 W
典型接通延迟时间：9.9 ns
长度 2mm
晶体管材料：Si
工作温度：-55-150°C
典型栅极电荷@Vgs：6.2 nC @ 2.5 V
典型输入电容值@Vds：1010 pF @ -6 V
典型关断延迟时间：109 ns
包装数量：3000PCS
类型：P 功率MOSFET
连续漏极电流：3.5A
漏源电压：12V
漏源电阻值：500 mΩ
栅阈值电压：0.8V
栅源电压：±5 V
封装：SC-70LF MCPH3
晶体管极性: P-Channel
晶体管配置：单
通道模式：增强
功率耗散：1 W
典型接通延迟时间：9.9 ns
长度 2mm
晶体管材料：Si
工作温度：-55-150°C
典型栅极电荷@Vgs：6.2 nC @ 2.5 V
典型输入电容值@Vds：1010 pF @ -6 V
典型关断延迟时间：109 ns
包装数量：3000PCS