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深圳市汉威信息技术有限公司
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产品信息
DMP21D0UFB4-7B MOS晶体管 Diodes
FET类型：P通道
通道数量：1
技术：MOSFET
漏源极击穿电压：20V
连续漏极电流：770mA
栅极源极电压：4.5V
栅极电荷：1.5nC
正向跨导值：50mS
下降时间：18.5ns
驱动电压（ Rds On， Rds On）：1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 495 毫欧 @ 400mA，4.5V
栅源极阈值电压：700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：1.54nC @ 8V
Vgs（值）：±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：80pF @ 10V
功率耗散：430mW
工作温度：-55°C～150°C
封装：XFDFN-3
包装：10000PCS
厂商：Diodes