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深圳市汉威信息技术有限公司
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产品信息
IRLL2705 MOS晶体管 Infineon
FET类型：N通道
技术：MOSFET
漏源极击穿电压：55V
连续漏极电流：3.8A
驱动电压（ Rds On， Rds On）：4V，10V
漏源电阻值：40mΩ
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：48nC @ 10V
栅极-源极电压：16V
栅极电荷：32nC
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：870pF @ 25V
功耗：2.1W
切换：7.5V/nS
工作温度：-55°C～150°C
封装：SOT-223
包装：2500PCS
厂商：Infineon