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深圳市汉威信息技术有限公司
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产品信息
IRLR2705TR MOS晶体管 Infineon
通道类型：N
连续漏极电流：28A
漏源电压：55V
驱动电压：4V～10V
封装类型：DPAK (TO-252)
安装类型：表面贴装
引脚数：3Pin
漏源电阻值：65mΩ
通道模式：增强
栅阈值电压：2V
栅阈值电压：1V
功率耗散：68W
栅极电荷：16.7 nC
正向跨导值：11S
下降时间：29ns
典型关闭延迟时间：21 ns
典型接通延迟时间：8.9 ns
晶体管配置：单
栅源电压：-16 V、+16 V
晶体管材料：Si
工作温度：-55 °C～+175 °C
典型栅极电荷@Vgs：25 nC @ 5 V
包装：2000PCS
厂商：Infineon
逻辑电平门驱动
超低导通电阻
表面贴装（IRLR2705）
直引线（IRLU2705）
先进的工艺技术
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