深圳市汉威信息技术有限公司

(非本站正式会员)
IRF5210S MOS晶体管 Infineon
IRF5210S MOS晶体管 Infineon
<>

IRF5210S MOS晶体管 Infineon

型号/规格:

IRF5210S

品牌/商标:

INFINEON(英飞凌)

封装形式:

D2PAK

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

盒带编带包装

FET:

P通道

击穿电压:

100V

功率:

170W

栅阈值电压:

4V

产品信息

IRF5210S MOS晶体管 Infineon

FET类型:P通道

技术:MOSFET

漏源极击穿电压:100V

连续漏极电流:40A

栅极-源极电压:20V

驱动电压( Rds On, Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值):60 毫欧 @ 38A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值):230nC @ 10V

Vgs(值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值):2780pF @ 25V

典型栅极电荷@Vgs:150nC@10V

功率耗散:170W

栅阈值电压:4V

栅阈值电压:2V

工作温度:-55°C~150°C

安装类型:表面贴装型

引脚数:3Pin

封装:D2PAK

包装:800PCS

厂商:Infineon

先进的工艺技术

超低导通电阻

150°C工作温度

快速切换

此设计的特点是结温为150°C,开关速度快,重复雪崩额定值更高。 这些功能相结合,使该设计成为一种非常有效和可靠的设备,可用于多种其他应用