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深圳市汉威信息技术有限公司
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产品信息
IRF5210S MOS晶体管 Infineon
FET类型：P通道
技术：MOSFET
漏源极击穿电压：100V
连续漏极电流：40A
栅极-源极电压：20V
驱动电压（ Rds On， Rds On）：10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：60 毫欧 @ 38A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：230nC @ 10V
Vgs（值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：2780pF @ 25V
典型栅极电荷@Vgs：150nC@10V
功率耗散：170W
栅阈值电压：4V
栅阈值电压：2V
工作温度：-55°C～150°C
安装类型：表面贴装型
引脚数：3Pin
封装：D2PAK
包装：800PCS
厂商：Infineon
先进的工艺技术
超低导通电阻
150°C工作温度
快速切换
此设计的特点是结温为150°C，开关速度快，重复雪崩额定值更高。 这些功能相结合，使该设计成为一种非常有效和可靠的设备，可用于多种其他应用