深圳市汉威信息技术有限公司

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AO3402 MOS场效应管 AOS

型号/规格:AO3402 品牌/商标:AOS 封装形式:SMD 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 FET:N 类型:MOSFET 漏源电压:30V 漏极电流:4A

AO4294 MOS场效应管 AOS

型号/规格:AO4294 品牌/商标:AOS 封装形式:SMD 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 FET:N通道 漏源电压:100V 驱动电压:4.5V~10V 厂商:AOS

MCH3383-TL-H 晶体管MOSFET ON

型号/规格:MCH3383-TL-H 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:SC-70LF 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 类型:MOSFET 电流:3.5A 电压:12V 工作温度:-55~+150

DMP3098L-7 Diodes场效应管MOSFET

型号/规格:DMP3098L-7 品牌/商标:Diodes 封装形式:SOT-23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 击穿电压:30V 漏极电流:3.8A 导通电阻:70mOhms 驱动电压:4.5V~10V

IPP60R190P6 场效应管 Infineon

型号/规格:IPP60R190P6 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:大功率 针脚数:3Pin 功耗:151W 击穿电压:600V 电流:20.2 A

DMP21D0UFB4-7B MOS晶体管 Diodes

型号/规格:DMP21D0UFB4-7B 品牌/商标:Diodes 封装形式:SMD 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 FET类型:P通道 击穿电压:20V 漏极电流:770mA 功率耗散:430mW

IRF5210S MOS晶体管 Infineon

型号/规格:IRF5210S 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装形式:D2PAK 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 FET:P通道 击穿电压:100V 功率:170W 栅阈值电压:4V

IRLL2705 MOS晶体管 Infineon

型号/规格:IRLL2705 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装形式:SMD 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 类型:N通道 击穿电压:55V 漏极电流:3.8A 漏源电阻值:40mΩ

IRLR2705TR MOS晶体管 Infineon

型号/规格:IRLR2705TR 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装形式:SMD 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 通道:N 漏源电压:55V 连续漏极电流:28A 功率耗散:68W