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IRF5210S MOS晶体管 Infineon
IRF5210S
INFINEON(英飞凌)
D2PAK
无铅环保型
贴片式
盒带编带包装
P通道
100V
170W
4V
相关产品
产品信息
IRF5210S MOS晶体管 Infineon
FET类型:P通道
技术:MOSFET
漏源极击穿电压:100V
连续漏极电流:40A
栅极-源极电压:20V
驱动电压( Rds On, Rds On):10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值):60 毫欧 @ 38A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值):230nC @ 10V
Vgs(值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值):2780pF @ 25V
典型栅极电荷@Vgs:150nC@10V
功率耗散:170W
栅阈值电压:4V
栅阈值电压:2V
工作温度:-55°C~150°C
安装类型:表面贴装型
引脚数:3Pin
封装:D2PAK
包装:800PCS
厂商:Infineon
先进的工艺技术
超低导通电阻
150°C工作温度
快速切换
此设计的特点是结温为150°C,开关速度快,重复雪崩额定值更高。 这些功能相结合,使该设计成为一种非常有效和可靠的设备,可用于多种其他应用